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Versuch 1 Eingangskennlinie eines Silizium npn-Transistors BC140. Als Eingangssignal dient eine Dreieckspannung (100 Hz), die über einen Vorwiderstand von 47 kOhm den Basisstrom erzeugt. Die Spannung zwischen Basis und Emitter dient zur X-Ablenkung, während der Basistrom - gemessen als Spannungsabfall an 1 kOhm - zur Y-Ablenkung dient. Die Eingangskennlinie entspricht der einer Siliziumdiode mit einer Kniespannung von ca. 0,6 V. |
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Versuch 2 Ausgangskennlinie eines npn-Transistors BC140. Jetzt wird der Basisstrom als fester Parameter vorgegeben und die Kollektor-Emitterspannung aus der Dreieckspannung gewonnen. Der Kollektorstrom (Y) wird als Spannungsabfall über 100 Ohm gewonnen, während die Kollektor-Emitter-Spannung (X) direkt abgegriffen wird. Kennlinien für 50 Mikroampere, 100 Mikroampere und 150 Mikroampere Basisstrom zeigen den Anstieg des Sättigungsstroms mit dem Basisstrom. Der Nullpunkt liegt hier in der unteren linken Ecke des Koordinatennetzes. |
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Versuch 3 Stromverstärkungskennlinie eines npn-Transistors BC140. Der Kollektorstrom (Y) wird als Spannungsabfall an 100 Ohm gemessen. Zur X-Ablenkung dient die Steuerspannung eines Dreieckgenerators, der über einen Serienwiderstand von 100 kOhm den Basisstrom liefert. Die Kennlinie verläft im ersten Quadranten. Der Nullpunkt des Basisstroms ist so korrigiert, daß er in der Mitte des Oszillogramms liegt. |
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Versuch 4 Übertragungskennlinie eines Sperrschicht-FETs 2N3819. Die Kennlinie zeigt den Drainstrom als Funktion der Gate-Source Spannung. Die pinch-off Spannung dieses J-FETs beträt -2,6 V. |
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