9. Halbleiterphysik

Dieses Kapitel folgt eng der Darstellung in Hering-Bressler-Gutekunst, Elektronik für Ingenieure, Springer, 2001 auf die empfehlend verwiesen wird.

Stichworte

  1. Leiter- Isolatoren-Halbleiter, Bändermodell, Eigenleitung, Fermi-Dirac-Verteilung, Elektronen und Löcher, Elektronen pro Energieintervall, Elektronendichte, Löcherdichte, Trägerdichte bei Eigenleitung, Halbleitermaterialien, Zusammenfassung,
  2. Störstellenleitung, n-Dotierung, Ionisierungsenergie, FD-Verteilung im n-Leiter, Trägerdichte als Fkt. der Dotierung, p-Dotierung, FD-Verteilung im p-Leiter, Beweglichkeit,
  3. pn-Übergang, Majoritätsladungsträger, Abrupter pn-Übergang, Raumladungszone, Diffusionsspannung I, Diffusionsspannung II, pn-Übergang mit Vorspannung, Berechnung der Charakteristik, Diodenkennlinie, Vergleich Ge-Si, Zenereffekt, Lawinendurchbruch

Versuche

Versuch 1a,b,c
Kennlinie von Germaniumdiode, Siliziumdiode und Zenerdiode. Man beachte die unterschiedliche Kniespannung und Steigung der Kennlinien von Ge-Diode (AA119) und Si-Diode (1N4007) Als Spannungsquelle dient eine Dreieckspannung von etwa 200 Hz. Die Kennlinie wird im XY-Betrieb des Digiscopes aufgenommen, wobei das Stromsignal am Shunt (100 Ohm) abgegriffen wird.

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Erstellt: 24-12-01 ap; Letzte Änderung: 03-02-02